كشفت تسريبات مصدرها قاعدة بيانات Geekbench عن أداء هاتف سامسونج القادم Galaxy S25 Plus، حيث سجل هذا البديل أداء مذهل في إختبارات المعالج Snapdragon 8 Elite.

تستمر سلسلة هواتف Galaxy S25 في جذب انتباه الجمهور ترقبًا لإصدار الحدث الرسمي، ومرة ​​أخرى تكشف التسريبات المزيد من التفاصيل حول أحد الإصدارات القادمة.

سجل هاتف Galaxy S25 Plus 3160 نقطة في اختبارات Geekbench في الاختبارات أحادية النواة و9941 نقطة في الاختبارات متعددة النواة، مما يعني أن هذا الإصدار يأتي مع تحسينات في الأداء مقارنة بهاتف Galaxy S25 الذي سجل 2481 نقطة في الاختبارات. أعزب. -الاختبارات الأساسية و8658 نقطة في الاختبارات متعددة النواة.

تؤكد التفاصيل الواردة من Geekbench أن هاتف S25 Plus يحتوي على الإصدار الخاص من معالج Qualcomm ‘Snapdragon 8 Elite for Galaxy’، بسرعة 4.47 جيجا هرتز، وهو أعلى من 4.32 جيجا هرتز للإصدار الرئيسي، وهو الهاتف الذي ظهر في التسريبات بسعة 12 جيجا بايت رام عشوائي

ومن الجدير بالذكر أنه تم رصد الهاتف Galaxy S25 Plus سابقًا في قاعدة بيانات Geekbench مع شريحة معالج Exynos 2500 القادمة من سامسونج، لذلك نتوقع المزيد من التفاصيل في الحدث الرسمي الذي من المتوقع أن يقام في 22 أو 23 يناير من العام المقبل.

مصدر