ربما تكون سامسونج قد قادت السباق للحصول على تقنيات 3 نانومتر من خلال عملية Gate-All-Around (GAA)، لكن عائدات الإنتاج لم تصل بعد إلى المستويات المستهدفة، وفقًا لتسريب جديد من كوريا.

يشير تقرير من موقع Naver إلى أن سامسونج وضعت هدفاً طموحاً يتمثل في تحقيق كفاءة بنسبة 70% في عمليات GAA للجيل الأول والثاني من تقنية 3nm، ولكن يبدو أن هذا الهدف بعيد المنال. وفقًا للتقرير، كان الإصدار الأول، المسمى “SF3E-3GAE”، أكثر نجاحًا نسبيًا، حيث تراوحت العائدات بين 50-60٪، وهو أقرب إلى الهدف ولكنه لا يزال أقل من المستوى المطلوب لجعل التكنولوجيا جذابة تجاريًا.

يُعتقد أن هذا العيب هو السبب الرئيسي وراء عدم اعتماد العملاء لتقنية 3nm GAA من سامسونج، حيث قررت شركة Qualcomm بناء معالج Snapdragon 8 Elite حصريًا باستخدام بنية TSMC 3nm ‘N3E’ كدليل على ذلك.

عندما يتعلق الأمر بعملية تصنيع الجيل الثاني من تكنولوجيا 3 نانومتر من سامسونج، والمعروفة باسم “SF3-3GAP”، فإن التوقعات تبدو أكثر قتامة. ويظهر التقرير أن معدلات العائد لا تتجاوز 20%، أي أقل من ثلث الهدف الأصلي.

ويُنظر إلى هذا النقص في التقدم على أنه تهديد لثقة العملاء في تقنية 3 نانومتر من سامسونج وقد يدفع بعض العملاء، بما في ذلك كوريا الجنوبية، إلى تقنيات TSMC الأكثر رسوخًا 3 نانومتر.

يمكن أن يكون مشروع GAA بتقنية 3nm بمثابة صداع لشركة Samsung، وهو ما قد يفسر تحول موارد الشركة ومواهبها نحو تطوير عقدة 2nm التالية.

تقول الشائعات أن سامسونج تعمل على تطوير مجموعة شرائح Exynos جديدة تحمل الاسم الرمزي “Ulysses” باستخدام تقنية “SF2P”، ومن المتوقع أن تظهر هذه الشريحة في نماذج Galaxy S المستقبلية، وربما S27 في عام 2027.

ومع ذلك، يبقى أن نرى ما إذا كانت سامسونج ستتمكن من التغلب على هذه التحديات وتحقيق نجاح تقنية 3 نانومتر كبديل قابل للتطبيق. وإذا فشلت، فقد يهدد ذلك أيضًا مستقبل معالج Exynos 2500 الرائد للشركة.

مصدر